中科芯大讲堂 — — 新型非易失磁存储器技术
8月29日上午,应数模研发中心和中科芯微电子学院的邀请,北京航空航天大学教授、博士生导师赵巍胜为中科芯科研人员做新一期中科芯大讲堂——《新型非易失磁存储器技术》。讲座由中科芯数模研发中心数字研究室副主任(主持工作)赵桂林主持,来自数模研发中心、亿芯公司、封装事业部、检测事业部等部门共计80余名同事参加了此次讲座。
赵巍胜教授是北航微电子学院副院长(主持工作)、费尔北京研究院院长、北航歌尔微电子联合研究院院长,2013年获批国家“青年千人计划”,在自旋存储信息器件STT-MRAM、斯格明子赛道存储及类脑器件等方面做了一系列基础性和开拓性工作。
从磁随机存储器技术、新型非易失磁存储器技术、我国的发展机遇与挑战等方面,赵教授系统性地介绍了磁存储器。磁存储器基础为隧穿磁阻效应,是量子力学理论在目前工程技术领域的唯一应用。磁存储器技术经历了从第一代的磁场写入MARM,到第二代STT-MRAM,再到第三代SOT-MRAM的发展。STT-MRAM是目前市面上功耗最低的非易失存储芯片,吸引了众多国际知名芯片企业进入此领域。
磁存储器作为国内外差距较大、国内研究偏少的领域,引起了在座科研人员极大兴趣,分别从设计、封装、测试等不同角度,与赵教授进行了交流讨论。大讲堂结束后,中科芯微电子学院副院长刘逸明、科研计划部、数模研发中心、封装事业部等部门的同事,与赵巍胜教授进行了座谈沟通,就双方的后续合作达成了初步意向。
随着大数据、人工智能、物联网等新一代信息产业的发展,存储芯片已成为集成电路最重要的市场。为解决存储领域的“中国芯”困境,除沿原有技术路线继续深耕外,还应前瞻布局MRAM等新一代存储芯片。